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灯泵浦激光打标机与半导体激光打标机之间区别
灯泵浦激光打标机与半导体激光打标机之间区别： 灯泵浦激光器与半导体泵浦激光器比较：半导体及灯泵浦激光器都是采用ND:YAG（掺钕钇铝石榴石）晶体作为激光产生的材料，它可将808nm的可...
2011-10-16 -
半导体激光器的常用参数
半导体激光器的常用参数可分为：波长、阈值电流Ith 、工作电流Iop 、垂直发散角、水平发散角∥、监控电流Im 。 （1）波长：即激光管工作波长，目前可作光电开关用的激光管波长有635nm、6...
2011-10-16 -
几种半导体可调谐激光器原理及特点
比较常见的可调谐半导体激光器从实现技术上有：电流控制技术、温度控制技术和机械控制技术等类型。其中电控技术是通过改变注入电流实现波长的调谐，具有ns级调谐速度，较宽的调谐带宽...
2011-10-15 -
英国科学家提出产生绿光激光器新途径
《OPTICS LETTERS》最近发表了英国格拉摩根大学Kang Li，Aiyun Yao等人的文章，报道了基于半导体激光器模块和MgO：PPLN晶体的绿光激光器。 绿光激光器在激光显示、光存储、生物光子学等领域均有着...
2011-10-12 -
目前最高功率的新型半导体激光材料加工系统
相干公司发布新型Highlight D系列半导体激光系统，该系统不仅能输出用于材料加工处理的高功率半导体激光，同时能提供智能激光光斑尺寸。尤其是Highlight8000D， 输出功率可达8KW，是目前世界上...
2011-10-11 -
几种半导体可调谐激光器原理及特点
比较常见的可调谐半导体激光器从实现技术上有：电流控制技术、温度控制技术和机械控制技术等类型。其中电控技术是通过改变注入电流实现波长的调谐，具有ns级调谐速度，较宽的调谐带宽...
2011-10-08 -
半导体激光器面面观（四）
GaAs上VCSEL 基于GaAs基材料系统的VCSEL由于高的Q值而备受研究者青睐，目前VCSEL最多也是生长在GaAs衬底上。但以GaAsSbQW作为有源区的CW长波长VCSEL发射波长被限制在1.23m。发射波长1.3m的GaAsSb-GaAs系统...
2011-09-28 -
半导体激光器面面观（三）
(1)808nmInGaAsP无铝大功率激光器 美国相干公司的半导体研究所研制了一种无铝激光器，其准连续波功率为50W，工作温度高达75℃。在峰值功率为55W时测量，经109次400s脉冲后其功率衰减＜9%。峰值...
2011-09-28
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